IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRFH7914TRPBF e IRFH7911TR2PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFH7914TRPBF

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1777 PCS | Tecnologias Infineon
IRFH7911TR2PBF

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5263 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote PQFN-8 VQFN-18
Descrição MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A (Ta), 35A (Tc) 13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V 8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V 1060pF @ 15V
Power - Max - 2.4W, 3.4W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modelo de comparação : IRFH7914TRPBF IRFH7911TR2PBF

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