IRFP3206PBF vs IRFP32N50KPBF

Esta comparação detalhada entre IRFP3206PBF e IRFP32N50KPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFP3206PBF

+Lista de Materiais

1748 PCS | Tecnologias Infineon
IRFP32N50KPBF

+Lista de Materiais

4605 PCS | Vishay Siliconix
Pacote TO-247-3 TO-247-3
Descrição MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc) 32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3mOhm @ 75A, 10V 160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 150µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 170 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 6540 pF @ 50 V 5280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 460W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Modelo de comparação : IRFP3206PBF IRFP32N50KPBF

+Lista de Materiais RFQ