IRFP360PBF vs IRFP3306PBF

Esta comparação detalhada entre IRFP3306PBF e IRFP360PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFP3306PBF

+Lista de Materiais

4449 PCS | Tecnologias Infineon
IRFP360PBF

+Lista de Materiais

3678 PCS | Vishay Siliconix
Pacote TO-247-3
Descrição MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Series HEXFET® -
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number IRFP3306 -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 220W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 400 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 23A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 200mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 4500 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 280W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Modelo de comparação : IRFP3306PBF IRFP360PBF

+Lista de Materiais RFQ