IRFP4227PBF vs IRFP4768PBF
Esta comparação detalhada entre IRFP4768PBF e IRFP4227PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO247
Descrição
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP4768
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
330W (Tc)
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
