IRFR5505TRPBF vs IRFR5305TRPBF Comparação
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Especificações
Pacote
TO-252-3
TO-252-3
Descrição
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
18A (Tc)
31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
110mOhm @ 9.6A, 10V
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
57W (Tc)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
