IRG4PC50UDPBF
Tecnologias Infineon
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 5166 PCS
- Package
- TO-247-3
- Series
- Transistores - IGBTs - Single
Esta comparação detalhada entre IRG4PC50UDPBF e IRG4PC30FDPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
Tecnologias Infineon
Tecnologias Infineon
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | IRG4PC50UDPBF | IRG4PC30FDPBF |
|---|---|---|
| Supplier | Infineon Technologies | Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 55 A | 31 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 220 A | 120 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2V @ 15V, 27A | 1.8V @ 15V, 17A |
| Power - Max | 200 W | 100 W |
| Switching Energy | 990µJ (on), 590µJ (off) | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 180 nC | 51 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 46ns/140ns | 42ns/230ns |
| Test Condition | 480V, 27A, 5Ohm, 15V | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns | 42 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |