IRLML0100TRPBF vs IRLML0060TRPBF

Esta comparação detalhada entre IRLML0100TRPBF e IRLML0060TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML0100TRPBF IRLML0060TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A (Ta) 2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 25µA 2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±16V ±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount