IRS2101STRPBF vs IRS2108STRPBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IRS2101STRPBF e IRS2108STRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRS2101STRPBF

+Lista de Materiais

5166 PCS | Tecnologias Infineon
IRS2108STRPBF

+Lista de Materiais

4775 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC 8N
Descrição IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 70ns, 35ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRS2101STRPBF IRS2108STRPBF

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