IRS2153DSTRPBF vs IRS21851STRPBF

Esta comparação detalhada entre IRS2153DSTRPBF e IRS21851STRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRS2153DSTRPBF

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7156 PCS | Tecnologias Infineon
IRS21851STRPBF

+Lista de Materiais

8832 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Synchronous Single
NumberofDrivers 2 1
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 180mA, 260mA 4A, 4A
InputType RC Input Circuit Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 120ns, 50ns 15ns, 15ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRS2153DSTRPBF IRS21851STRPBF

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