IXDD604SIA vs IXDD609SIATR

Esta comparação detalhada entre IXDD604SIA e IXDD609SIATR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IXDD604SIA IXDD609SIATR
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 9A, 9A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 9ns, 8ns 22ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount