IXDN614PI vs IXDN602PI
Esta comparação detalhada entre IXDN614PI e IXDN602PI fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
DIP-8
DIP-8
Descrição
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Low-Side
Low-Side
ChannelType
Single
Independent
NumberofDrivers
1
2
GateType
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply
4.5V ~ 35V
4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink)
14A, 14A
2A, 2A
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ)
25ns, 18ns
7.5ns, 6.5ns
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
