IXDN630YI vs IXDN614YI

Esta comparação detalhada entre IXDN630YI e IXDN614YI fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IXDN630YI

+Lista de Materiais

6062 PCS | Divisão de Circuitos Integrados IXYS
IXDN614YI

+Lista de Materiais

3782 PCS | Divisão de Circuitos Integrados IXYS
Pacote TO-263-6 TO-263-6
Descrição IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5 IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 12.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3.5V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 30A, 30A 14A, 14A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 11ns, 11ns 25ns, 18ns
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IXDN630YI IXDN614YI

+Lista de Materiais RFQ