JANTX2N6796 vs JANTX2N2060

Esta comparação detalhada entre JANTX2N6796 e JANTX2N2060 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification JANTX2N6796 JANTX2N2060
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/270
Part Status Obsolete Active
Transistor Type - 2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) - 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 60V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 10µA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 50 @ 10mA, 5V
Power - Max - 600mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
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