JANTX2N6796 vs JANTX2N2907A Comparação
Esta comparação detalhada entre JANTX2N2907A e JANTX2N6796 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
TO-205AF-3
Descrição
TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Supplier
Microchip Technology
-
Series
Military, MIL-PRF-19500/291
Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP
-
Current - Collector(Ic)(Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
60 V
-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
-
Current - Collector Cutoff(Max)
50nA
-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
100 @ 150mA, 10V
-
Power - Max
500 mW
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
FET Type
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Power Dissipation (Max)
-
800mW (Ta), 25W (Tc)
