JANTX2N6796 vs JANTX2N3029 Comparação

Esta comparação detalhada entre JANTX2N6796 e JANTX2N3029 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
JANTX2N6796

+Lista de Materiais

2949 PCS | Microsemi Corporation
JANTX2N3029

+Lista de Materiais

5197 PCS | Microsemi Corporation
Pacote TO-205AF-3 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Descrição MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF SCR 1KV 250MA TO18
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-S-19500/419
Part Status Obsolete Active
Voltage - Off State - 1 kV
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Voltage - On State(Vtm)(Max) - 1.5 V
Current - On State(It(RMS))(Max) - 250 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 5 mA
Current - Off State(Max) - 100 nA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) - 5A, 8A
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
Modelo de comparação : JANTX2N6796 JANTX2N3029

+Lista de Materiais RFQ