LF353DR vs LF353MX/NOPB

Esta comparação detalhada entre LF353MX/NOPB e LF353DR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LF353MX/NOPB

+Lista de Materiais

1734 PCS | National Semiconductor
LF353DR

+Lista de Materiais

7226 PCS | Texas Instruments
Pacote
Descrição
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 4 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
Modelo de comparação : LF353MX/NOPB LF353DR

+Lista de Materiais RFQ