LM258DR vs LM258DR2

Esta comparação detalhada entre LM258DR e LM258DR2 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LM258DR

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5147 PCS | Texas Instruments
Pacote 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 700 kHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 3 mV 2 mV
Current-Supply 500µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate 0.3V/µs -
Modelo de comparação : LM258DR LM258DR2

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