LM258DR vs LM258DR2G

Esta comparação detalhada entre LM258DR2G e LM258DR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LM258DR

+Lista de Materiais

5147 PCS | Texas Instruments
Pacote
Descrição
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 1 MHz 700 kHz
Current-InputBias 45 nA 20 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 3 mV
Current-Supply 800µA (x2 Channels) 500µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate - 0.3V/µs
Modelo de comparação : LM258DR2G LM258DR

+Lista de Materiais RFQ