LM358DR2G vs LM358BAIDR

Esta comparação detalhada entre LM358BAIDR e LM358DR2G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LM358BAIDR

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2857 PCS | Texas Instruments
Pacote
Descrição
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.5V/µs -
GainBandwidthProduct 1.2 MHz 1 MHz
Current-InputBias 10 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : LM358BAIDR LM358DR2G

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