LT1013DDR vs LT1013DMD
Esta comparação detalhada entre LT1013DDR e LT1013DMD fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição
LT1013D LOW POWER, 4V-44V WIDE S
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
AmplifierType
General Purpose
General Purpose
NumberofCircuits
2
2
SlewRate
0.4V/µs
0.4V/µs
GainBandwidthProduct
1 MHz
1 MHz
Current-InputBias
18 nA
18 nA
Voltage-InputOffset
90 µV
90 µV
Current-Supply
320µA (x2 Channels)
320µA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min)
5 V
5 V
Voltage-SupplySpan(Max)
30 V
30 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C (TA)
0°C ~ 70°C (TA)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
