LT1013DDR vs LT1013DMD

Esta comparação detalhada entre LT1013DDR e LT1013DMD fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LT1013DDR

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
4759 PCS
Series
Linear - Amplificadores - Instrumentação, OP Amps, Buffer Amps
+Lista de Materiais RFQ
Part B

LT1013DMD

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
7331 PCS
Package
SOIC-8
Series
Linear - Amplificadores - Instrumentação, OP Amps, Buffer Amps
+Lista de Materiais RFQ

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Full specification comparison

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Specification LT1013DDR LT1013DMD
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.4V/µs 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 18 nA 18 nA
Voltage - Input Offset 90 µV 90 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 5 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 30 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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