LT1013DIDR vs LT1013IS8

Esta comparação detalhada entre LT1013DIDR e LT1013IS8 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LT1013DIDR

+Lista de Materiais

6402 PCS | Texas Instruments
LT1013IS8

+Lista de Materiais

7112 PCS | Analog Devices Inc.
Pacote
Descrição IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO
Series - LT®
Part Status - Obsolete
Amplifier Type - Standard (General Purpose)
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product - 1 MHz
Current - Input Bias - 15 nA
Voltage - Input Offset - 60 µV
Current - Supply - 350µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 20 mA
Voltage - Supply Span (Min) - 4 V
Voltage - Supply Span (Max) - 44 V
Operating Temperature - -40°C ~ 85°C
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - LT1013
ProductStatus Active -
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 0.4V/µs -
GainBandwidthProduct 1 MHz -
Current-InputBias 18 nA -
Voltage-InputOffset 90 µV -
Current-Supply 320µA (x2 Channels) -
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V -
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C (TA) -
MountingType Surface Mount -
Modelo de comparação : LT1013DIDR LT1013IS8

+Lista de Materiais RFQ