LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4441EMSE#PBF Comparação

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Especificações

LTC4446EMS8E#PBF

+Lista de Materiais

8802 PCS | Analog Devices Inc.

LTC4441EMSE#PBF

+Lista de Materiais

4865 PCS | Tecnologia linear

Pacote MSOP-8 MSOP-10

Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP LTC4441 - 6A N-CHANNEL MOSFET DR

Part Status Active Obsolete

Driven Configuration Half-Bridge Low-Side

Channel Type Independent Single

Number of Drivers 2 1

Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 5V ~ 25V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.8V, 2V

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 6A, 6A

Input Type Non-Inverting Non-Inverting

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 13ns, 8ns

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Modelo de comparação : LTC4446EMS8E#PBF LTC4441EMSE#PBF

+Lista de Materiais RFQ

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