LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

Esta comparação detalhada entre LTC4446EMS8E#PBF e LTC4444IMS8E#WPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.

Especificações

LTC4446EMS8E#PBF

+Lista de Materiais

8802 PCS | Analog Devices Inc.

LTC4444IMS8E#WPBF

+Lista de Materiais

5114 PCS | Analog Devices Inc.

Pacote MSOP-8 MSOP-E-8

Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

Series - Automotive, AEC-Q100

ProductStatus Active Active

DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge

ChannelType Independent Independent

NumberofDrivers 2 2

GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage-Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V

LogicVoltage-VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V

Current-PeakOutput(SourceSink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A

InputType Non-Inverting Non-Inverting

HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V

Rise/FallTime(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns

OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

MountingType Surface Mount Surface Mount

Modelo de comparação : LTC4446EMS8E#PBF LTC4444IMS8E#WPBF

+Lista de Materiais RFQ

LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

Relacionado

Comparação relacionada