LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4446IMS8E#PBF Comparação

Esta comparação detalhada entre LTC4446EMS8E#PBF e LTC4446IMS8E#PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LTC4446EMS8E#PBF

+Lista de Materiais

8802 PCS | Analog Devices Inc.
LTC4446IMS8E#PBF

+Lista de Materiais

3979 PCS | Analog Devices Inc.
Pacote MSOP-8 MSOP-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V
Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : LTC4446EMS8E#PBF LTC4446IMS8E#PBF

+Lista de Materiais RFQ