LTC4449IDCB vs LTC4413EDD-1#PBF

Esta comparação detalhada entre LTC4449IDCB e LTC4413EDD-1#PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LTC4449IDCB

+Lista de Materiais

1200 PCS | Analog Devices Inc.
LTC4413EDD-1#PBF

+Lista de Materiais

4868 PCS | Analog Devices Inc.
Pacote 8-WFDFN Exposed Pad 10-WFDFNExposedPad
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC OR CTRLR SRC SELECT 10DFN
ProductStatus Obsolete Active
Type - Source Selector Switch
FETType - P-Channel
Ratio-Input:Output - 2:1
InternalSwitch(s) - Yes
DelayTime-ON - 11 µs
DelayTime-OFF - 2 µs
Current-Output(Max) - 2.6A
Current-Supply - 40 µA
Voltage-Supply 4V ~ 6.5V 2.5V ~ 5.5V
Applications - Handheld/Mobile Devices
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Synchronous -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 3V, 6.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 3.2A, 4.5A -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 42 V -
Rise/FallTime(Typ) 8ns, 7ns -
Modelo de comparação : LTC4449IDCB LTC4413EDD-1#PBF

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