MMBFJ112 vs MMBFJ177LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBFJ112 e MMBFJ177LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ112 MMBFJ177LT1G
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 35 V 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 1 V @ 1 µA 800 mV @ 10 nA
Rds On 50 Ohms 300 Ohms
Power - Max 350 mW 225 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 11pF @ 10V (VGS)
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