MMBFJ202 vs MMBFJ210

Esta comparação detalhada entre MMBFJ202 e MMBFJ210 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
MMBFJ202

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24610 PCS | Semiconductor Fairchild
Pacote TO-236-3 TO-236-3
Descrição SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI JFET N-CH 25V 15MA SOT23
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 40 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 800 mV @ 10 nA -
Power-Max 350 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 15mA
Voltage-Rated - 25 V
Modelo de comparação : MMBFJ202 MMBFJ210

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