MMBFJ309LT1G vs MMBFJ175

Esta comparação detalhada entre MMBFJ309LT1G e MMBFJ175 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification MMBFJ309LT1G MMBFJ175
Supplier - onsemi,Flip Electronics
Part Status Active Obsolete
FET Type - P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 3 V @ 10 nA
Rds On - 125 Ohms
Power - Max - 225 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Transistor Type N-Channel JFET -
Current Rating (Amps) 30mA -
Voltage - Rated 25 V -
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