MMBT3906WT1G vs MMBT3906LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBT3906WT1G e MMBT3906LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906WT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5464 PCS
Package: SOT-323
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Single

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Part B

MMBT3906LT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6987 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Single

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Full specification comparison

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Specification	MMBT3906WT1G	MMBT3906LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	200 mA	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	40 V	40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 10mA, 1V	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150 mW	300 mW
Frequency - Transition	250MHz	250MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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