MMBT4401LT1G vs MMBT4403LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBT4401LT1G e MMBT4403LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBT4401LT1G MMBT4403LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 1V 100 @ 150mA, 2V
Power - Max 300 mW 300 mW
Frequency - Transition 250MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount