MMBT5401 vs MMBT5551M3T5G

Esta comparação detalhada entre MMBT5401 e MMBT5551M3T5G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification MMBT5401 MMBT5551M3T5G
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 265 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 300MHz -
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