MMBT5401LT1G vs MMBT5551

Esta comparação detalhada entre MMBT5401LT1G e MMBT5551 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
Transistores - Bipolares (BJT) - Single Bipolar Transistors
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Specification MMBT5401LT1G MMBT5551
Part Status Active Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 300MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V
Packaging - Tape & Reel (TR)
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