MUN5111T1G vs MUN5114T1

Esta comparação detalhada entre MUN5111T1G e MUN5114T1 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MUN5111T1G MUN5114T1
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V -
Resistor - Base(R1) 10 kOhms -
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 202 mW -
Mounting Type Surface Mount -
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