MUN5211T1G vs MUN5214DW1T1G

Esta comparação detalhada entre MUN5211T1G e MUN5214DW1T1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5211T1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3812 PCS
Package: SC-70
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Single, Pre-Biased

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Part B

MUN5214DW1T1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7034 PCS
Package: SOT-363-6
Series: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pre-Biased

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Full specification comparison

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Specification	MUN5211T1G	MUN5214DW1T1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	10 kOhms	47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	35 @ 5mA, 10V	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	202 mW	250mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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