NCP5106BDR2G vs NCP5181DR2G Comparação
Esta comparação detalhada entre NCP5181DR2G e NCP5106BDR2G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Last Time Buy
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink)
1.4A, 2.2A
250mA, 500mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
40ns, 20ns
85ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
