NE5532DR vs NE5532D

Esta comparação detalhada entre NE5532DR e NE5532D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
NE5532DR

+Lista de Materiais

2043 PCS | Texas Instruments
NE5532D

+Lista de Materiais

7625 PCS | onsemi
Pacote 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
Descrição IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 16SOIC
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 9V/µs 9V/µs
GainBandwidthProduct 10 MHz 10 MHz
Current-InputBias 200 nA 200 nA
Voltage-InputOffset 500 µV 500 µV
Current-Supply 8mA (x2 Channels) 8mA
Current-Output/Channel 38 mA 38 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 6 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 40 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : NE5532DR NE5532D

+Lista de Materiais RFQ