NTHD4102PT1G vs NTHD4401PT1

Esta comparação detalhada entre NTHD4102PT1G e NTHD4401PT1 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification NTHD4102PT1G NTHD4401PT1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.9A 2.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 750pF @ 16V 300pF @ 10V
Power - Max 1.1W 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount