NTJD4158CT1G vs NTJD4105CT4G

Esta comparação detalhada entre NTJD4158CT1G e NTJD4105CT4G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification NTJD4158CT1G NTJD4105CT4G
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V 20V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 250mA, 880mA 630mA, 775mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V 3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 33pF @ 5V 46pF @ 20V
Power - Max 270mW 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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