SI2301-TP vs SI2307CDS-T1-GE3 Comparação
Esta comparação detalhada entre SI2307CDS-T1-GE3 e SI2301-TP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
SOT-23-3
SOT-23-3
Descrição
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
340 pF @ 15 V
880 pF @ 6 V
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
