SI2301BDS-T1-E3 vs SI2301CDS-T1-E3

Esta comparação detalhada entre SI2301BDS-T1-E3 e SI2301CDS-T1-E3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification SI2301BDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.2A (Ta) 3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 950mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 375 pF @ 6 V 405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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