SI2307BDS-T1-E3 vs SI2302DDS-T1-GE3

Esta comparação detalhada entre SI2307BDS-T1-E3 e SI2302DDS-T1-GE3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification SI2307BDS-T1-E3 SI2302DDS-T1-GE3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A (Ta) 2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 380 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta) 710mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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