SI2309CDS-T1-E3 vs SI2302DDS-T1-GE3

Esta comparação detalhada entre SI2309CDS-T1-E3 e SI2302DDS-T1-GE3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification SI2309CDS-T1-E3 SI2302DDS-T1-GE3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A (Tc) 2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 345mOhm @ 1.25A, 10V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 210 pF @ 30 V -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 710mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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