SI4946BEY-T1-E3 vs SI4948BEY-T1-E3

Esta comparação detalhada entre SI4946BEY-T1-E3 e SI4948BEY-T1-E3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification SI4946BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V 120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 840pF @ 30V -
Power - Max 3.7W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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