STGW60H65DFB vs STGW60V60DLF

Esta comparação detalhada entre STGW60H65DFB e STGW60V60DLF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STGW60H65DFB STGW60V60DLF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A -
Power - Max 375 W -
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) -
Input Type Standard -
Gate Charge 306 nC -
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns -
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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