STPSC20H065CW vs STPSC10H065D

Esta comparação detalhada entre STPSC20H065CW e STPSC10H065D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC20H065CW STPSC10H065D
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V 650 V
Current - Average Rectified(Io) - 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 650 V 100 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F - 480pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode -
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 10A -
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C -