TL084IDR vs TL084BCDR

Esta comparação detalhada entre TL084BCDR e TL084IDR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
TL084BCDR

+Lista de Materiais

6404 PCS | Texas Instruments
TL084IDR

+Lista de Materiais

7061 PCS | Texas Instruments
Pacote
Descrição
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 4 4
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 30 pA 30 pA
Voltage-InputOffset 2 mV 3 mV
Current-Supply 1.4mA (x4 Channels) 1.4mA (x4 Channels)
Current-Output/Channel 10 mA 10 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 10 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : TL084BCDR TL084IDR

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