TLC271BIDR vs TLC271CDR Comparação

Esta comparação detalhada entre TLC271CDR e TLC271BIDR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
TLC271CDR

+Lista de Materiais

6110 PCS | Texas Instruments
TLC271BIDR

+Lista de Materiais

4844 PCS | Texas Instruments
Pacote SOIC-8
Descrição IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 1 1
Slew Rate 5.3V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 2.2 MHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 390 µV
Supply Current 950µA 950µA
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : TLC271CDR TLC271BIDR

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