TLV271IDR vs TLV272CDR

Esta comparação detalhada entre TLV272CDR e TLV271IDR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
TLV272CDR

+Lista de Materiais

1918 PCS | Texas Instruments
TLV271IDR

+Lista de Materiais

7789 PCS | Texas Instruments
Pacote
Descrição
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose CMOS
NumberofCircuits 2 1
OutputType Rail-to-Rail Rail-to-Rail
SlewRate 2.6V/µs 2.6V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 1 pA 1 pA
Voltage-InputOffset 500 µV 500 µV
Current-Supply 550µA (x2 Channels) 625µA
Current-Output/Channel 8 mA 8 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 2.7 V 2.7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 16 V 16 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : TLV272CDR TLV271IDR

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