UCC21222QDRQ1 vs UCC21222DR

Esta comparação detalhada entre UCC21222QDRQ1 e UCC21222DR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification UCC21222QDRQ1 UCC21222DR
Series Automotive, AEC-Q100 -
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V
Logic Voltage - VILVIH 1.25V, 1.6V 1.25V, 1.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 6A 4A, 6A
Input Type CMOS/TTL CMOS/TTL
Rise / Fall Time(Typ) 5ns, 6ns 5ns, 6ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount