UCC27200DDAR vs UCC27200D Comparação

Esta comparação detalhada entre UCC27200DDAR e UCC27200D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
UCC27200DDAR

+Lista de Materiais

2054 PCS | Texas Instruments
UCC27200D

+Lista de Materiais

7093 PCS | Texas Instruments
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR UCC27200 120V BOOT, 3-A PEAK, HI
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 8V ~ 17V -
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V -
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns -
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Modelo de comparação : UCC27200DDAR UCC27200D

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